ค้นหา

 การออกแบบคุณสมบัติการสวิทชิ่งทรานเซียนของวงจรเกทพื้นฐานแบบซีมอส
รหัส : 05000408
โครงการ : การออกแบบคุณสมบัติการสวิทชิ่งทรานเซียนของวงจรเกทพื้นฐานแบบซีมอส
Project : Disign the Transient Switching Characteristics of CMOS Basic Logic Gates.
ประเภทการวิจัย : การวิจัยประยุกต์
งบประมาณ : -
ปีที่สิ้นสุด : พ.ศ. 2537
สาขา NRCT : สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย
หน่วยงานระดับกรม : คณะวิศวกรรมศาสตร์
หน่วยงานระดับกระทรวง : สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง
ขอบเขตการวิจัย : -
วัตถุประสงค์ :
  1. เพื่อออกแบบคุณสมบัติการสวิทชิ่งทรานเซียนของวงจร เกทพื้นฐานแบบซีมอส
  2. เสนอการประมาณค่าตัวเก็บประจุในโครงสร้างซีมอส อย่างง่ายสำหรับคำนวณค่าคุณสมบัติทางสวิทชิ่ง
นักวิจัย :

สมเกียรติ ศุภเดช

เติมพงษ์ เพ็ชรกูล

วีระ เพ็งจันทร์




สำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ (วช.)
ที่อยู่: 196 ถนนพหลโยธิน แขวงลาดยาว เขตจตุจักร กทม. 10900
ดาวน์โหลดคู่มือการใช้งาน  อีเมลล์ : ridm@nrct.go.th