ค้นหา

 นักวิจัย : สมชัย รัตนธรรมพันธ์
นักวิจัย : นายสมชัย รัตนธรรมพันธ์
Mr. Somchai Ratanathammaphan
รหัสนักวิจัย : 39050033
สังกัดหน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย กระทรวงศึกษาธิการ
Email Address : Somchai.R@chula.ac.th
จำนวนผลงานวิจัย : 14
 ผลงานวิจัย
ปี 2538 :
  1. ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางชนิดวัสดุอะมอร์ฟัสสารกึ่งตัวนำ
ปี 2540 :
  1. ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางชนิดวัสดุอะมอร์ฟัสสารกึ่งตัวนำ
ปี 2544 :
  1. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
  2. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBe ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
ปี 2545 :
  1. การวิจัยพื้นฐานทาง Nanoelectronics (I)
  2. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
ปี 2546 :
  1. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBe ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
  2. การวิจัยพื้นฐานทาง Nanoelectronics (I)
ปี 2549 :
  1. การปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs (Eg=0.75 eV) บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
ปี 2550 :
  1. การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
ปี 2551 :
  1. การปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs (Eg=0.75 eV) บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
  2. การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
ปี 2552 :
  1. การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In0.15Ga0.85As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีการดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้ในการปลูก molecular beam epitaxy
ปี 2556 :
  1. การวิจัยพื้นฐานสารกึ่งตัวนำที่มีโครงสร้างนาโนแบบจัดเรียงตัวเองโดยวิธีปลูกชั้นผลึกด้วยลำโมเลกุล



สำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ (วช.)
ที่อยู่: 196 ถนนพหลโยธิน แขวงลาดยาว เขตจตุจักร กทม. 10900
ดาวน์โหลดคู่มือการใช้งาน  อีเมลล์ : ridm@nrct.go.th