ค้นหา

 นักวิจัย : ชุมพล อันตรเสน
นักวิจัย : นายชุมพล อันตรเสน
Mr. Choompol Antarasena
รหัสนักวิจัย : 40050019
สังกัดหน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย กระทรวงศึกษาธิการ
Email Address : choompol.a@chula.ac.th
รางวัลที่ได้รับ : - รางวัลที่ 1 สิ่งประดิษฐ์ เรื่อง GaAs Transistors
จำนวนผลงานวิจัย : 17
 ผลงานวิจัย
ปี 2529 :
  1. เซลแสงอาทิตย์
ปี 2532 :
  1. เซลแสงอาทิตย์
ปี 2538 :
  1. การปลูกชั้นผลึกสารประกอบกึ่งตัวนำกลุ่ม III-V ด้วยลำโมเลกุล (เฟสที่ 1)
ปี 2539 :
  1. การปลูกชั้นผลึกสารประกอบกึ่งตัวนำกลุ่ม III-V ด้วยลำโมเลกุล (เฟสที่ 1)
ปี 2543 :
  1. ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs
ปี 2544 :
  1. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
  2. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBe ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
  3. ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs
ปี 2545 :
  1. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
ปี 2546 :
  1. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBe ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์
ปี 2547 :
  1. การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์
ปี 2549 :
  1. การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์
ปี 2550 :
  1. การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
  2. อุปกรณ์เชิงแสงในทางการแพทย์
  3. เทคโนโลยีการผลิตไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ โครงสร้างระนาบชนิดหัวต่อต่างชนิดคู่ของ GaAIAs /GaAs
ปี 2551 :
  1. การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
ปี 2556 :
  1. การวิจัยพื้นฐานสารกึ่งตัวนำที่มีโครงสร้างนาโนแบบจัดเรียงตัวเองโดยวิธีปลูกชั้นผลึกด้วยลำโมเลกุล



สำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ (วช.)
ที่อยู่: 196 ถนนพหลโยธิน แขวงลาดยาว เขตจตุจักร กทม. 10900
ดาวน์โหลดคู่มือการใช้งาน  อีเมลล์ : ridm@nrct.go.th